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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IR2118PBF

单通道驱动器

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描述
高电压、高速功率 MOSFET驱动和IGBT驱动
商品型号
IR2118PBF
商品编号
C152176
商品封装
PDIP-8​
包装方式
管装
商品毛重
0.5克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置高边
负载类型IGBT;MOSFET
驱动通道数1
灌电流(IOL)420mA
拉电流(IOH)200mA
工作电压10V~20V
属性参数值
上升时间(tr)80ns
下降时间(tf)40ns
传播延迟 tpLH125ns
传播延迟 tpHL105ns
特性欠压保护(UVP)
工作温度-40℃~+150℃@(Tj)
静态电流(Iq)340uA

商品概述

IR2117/IR2118(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器。采用专有 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术,实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 输出兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在最大限度减少交叉导通。浮动通道可用于驱动高侧或低侧配置的 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT,工作电压最高可达 600 伏。

商品特性

  • 浮动通道专为自举操作设计,可在高达 +600V 的电压下完全正常工作,能耐受负瞬态电压,抗 dV/dt 干扰
  • 栅极驱动电源范围为 10 至 20V
  • 欠压锁定
  • 带下拉电阻的 CMOS 施密特触发输入
  • 输出与输入同相(IR2117)或反相(IR2118)
  • 也提供无铅版本

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(50个/管,最小起订量 1 个)
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