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2EDL23N06PJXUMA1
高压栅极驱动IC，600V半桥栅极驱动IC
- 描述
- 特性：薄膜SOI技术。 最大阻断电压 +600V。 两个输出端均有独立控制电路。 对欠压电源进行滤波检测。 所有输入均由二极管钳位。 主动关断功能。 高端和低端具有不对称欠压锁定阈值。 针对目标应用通过JEDEC1认证（1000h高温应力测试）
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- 2EDL23N06PJXUMA1
- 商品编号
- C152380
- 商品封装
- DSO-14
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.219克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 2.8A | |
| 拉电流(IOH) | 2.3A | |
| 工作电压 | 10V~17.5V | |
| 上升时间(tr) | 48ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 37ns | |
| 传播延迟 tpLH | 310ns | |
| 传播延迟 tpHL | 300ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP)；过流保护(OCP) | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| 输入高电平(VIH) | 1.7V~2.4V | |
| 输入低电平(VIL) | 700mV~1.1V | |
| 静态电流(Iq) | 340uA |
商品特性
- 薄膜绝缘体上硅（Thin-film-SOI）技术
- 最大阻断电压 +600V ED-U
- 两个输出均配备独立控制电路，结构紧凑
- 对欠压电源进行滤波检测
- 所有输入均采用二极管钳位
- 具备主动关断功能
- 高端和低端采用不对称欠压锁定阈值
- 针对目标应用，符合 JEDEC1 标准（1000 小时高温应力测试）
- 基于 SOI 技术，桥接输出对低至 -50V 的负瞬态电压不敏感