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TN2524N8-G

1个N沟道耐压:240V 电流:1A

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品牌名称: MICROCHIP(美国微芯)
商品型号: TN2524N8-G
商品编号: C152191
商品封装: SOT-89-3
包装方式: 编带
商品毛重: 0.467克(g)

商品参数

商品概述

这款低阈值、增强型（常开）晶体管采用垂直 DMOS 结构和 Supertex 成熟的硅栅制造工艺。这种结合使该器件具备双极晶体管的功率处理能力，以及 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有 MOS 结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿。 Supertex 的垂直 DMOS FET 非常适合广泛的开关和放大应用，这些应用需要极低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。

商品特性

低阈值(最大 2.0V)
高输入阻抗
低输入电容(最大 125pF)
快速开关速度
低导通电阻
无二次击穿
低输入和输出泄漏

应用领域

逻辑电平接口 – 适用于 TTL 和 CMOS
固态继电器
电池供电系统
光伏驱动器
模拟开关
通用线路驱动器
电信开关

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	240V
	连续漏极电流(Id)	360mA
	导通电阻(RDS(on))	6Ω@10V
	耗散功率(Pd)	1.6W
	阈值电压(Vgs(th))	2V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	-
	输入电容(Ciss)	-
	反向传输电容(Crss)	-
	工作温度	-
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	-