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IRF6668TRPBF
1个N沟道 耐压:80V 电流:55A
- 描述
- N沟道,80V,55A,15mΩ@10V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF6668TRPBF
- 商品编号
- C152357
- 商品封装
- DirectFET
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 89W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.9V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 31nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 76pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 310pF |
商品概述
IRF6668PbF将最新的HEXFET®功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET™封装相结合，在具有SO - 8封装尺寸且厚度仅为0.7 mm的封装中实现了最低的导通电阻。DirectFET封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET封装支持双面散热，可最大限度地提高电力系统中的热传递效率，将先前的最佳热阻降低了80%。 IRF6668PbF针对隔离式DC - DC应用中的初级侧桥拓扑进行了优化，适用于48V(± 10%)或36V - 60V ETSI输入电压范围的系统。IRF6668PbF还非常适合用于稳压隔离式DC - DC拓扑中的次级侧同步整流。该器件降低的总损耗与高水平的热性能相结合，可实现高效率和低温运行，这对于提高系统可靠性至关重要，使该器件成为高性能隔离式DC - DC转换器的理想选择。
商品特性
- 符合RoHS标准
- 无铅(可承受高达260°C回流焊)
- 专用MOSFET
- 适用于高性能隔离式转换器初级开关插座
- 针对同步整流进行优化
- 低传导损耗
- 高Cdv/dt抗扰度
- 薄型(<0.7mm)
- 支持双面散热
- 与现有表面贴装技术兼容