温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IPD30N06S215ATMA2
1个N沟道 耐压:55V 电流:30A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- N沟道,55V,30A,14.7mΩ@10V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD30N06S215ATMA2
- 商品编号
- C151543
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.481克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14.7mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@80uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.485nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 167pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 464pF |
优惠活动
购买数量
(2500个/袋，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/袋
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单