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IPD60R600P6
1个N沟道 耐压:600V 电流:7.3A
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- 描述
- N沟道,600V,9.3A,600mΩ@10V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD60R600P6
- 商品编号
- C151547
- 商品封装
- TO-252-2(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.481克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@10V,2.4A | |
| 耗散功率(Pd) | 63W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@0.2mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 557pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 28pF |
商品概述
CoolMOS™ 是一项用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，依据超结（SJ）原理设计。CoolMOS™ P6 系列融合了领先的 SJ MOSFET 供应商的经验与卓越创新。所提供的器件具备快速开关 SJ MOSFET 的所有优势，同时不牺牲易用性。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便且散热更好。
商品特性
- 增强了 MOSFET 的 dv/dt 鲁棒性
- 由于极低的品质因数 Rdson*Qg 和 Eoss，实现极低损耗
- 极高的换向鲁棒性
- 易于使用/驱动
- 无铅电镀，无卤模塑料
- 符合 JEDEC（J - STD20 和 JESD22）工业级应用标准
应用领域
- 例如 PC 电源、适配器、LCD 与 PDP 电视、照明、服务器、电信和 UPS 等设备的 PFC 级、硬开关 PWM 级和谐振开关级。