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IRLI530NPBF
1个N沟道 耐压:100V 电流:12A
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- 描述
- N沟道,100V,12A,100mΩ@10V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRLI530NPBF
- 商品编号
- C151556
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.64克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@4V,8A | |
| 耗散功率(Pd) | 41W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 800pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
商品概述
第五代HEXFET采用先进的加工技术，以实现极低的单位硅面积导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域。 TO - 220 Fullpak封装消除了商业 - 工业应用中额外绝缘硬件的需求。所使用的模塑料具有高隔离能力，且散热片与外部散热器之间的热阻较低。这种隔离效果相当于标准TO - 220产品使用100微米云母屏障的效果。Fullpak封装可使用单个夹子或单个螺丝固定在散热器上。
商品特性
- 隔离封装
- 高电压隔离 = 2.5KVRMS
- 散热片至引脚爬电距离 = 4.8mm
- 全雪崩额定
- 无铅