温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IPD50R500CEAUMA1
1个N沟道 耐压:500V 电流:7.6A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- N沟道,550V,7.6A,500mΩ@13V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD50R500CEAUMA1
- 商品编号
- C151519
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.481克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 500mΩ@13V | |
| 耗散功率(Pd) | 57W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 433pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 31pF |
商品概述
CoolMOS™ 是一项用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。CoolMOS™ CE 是一个经过性价比优化的平台，能够在满足最高效率标准的同时，瞄准消费和照明市场中对成本敏感的应用。该新系列具备快速开关超结 MOSFET 的所有优势，同时不牺牲易用性，并且提供了市场上最佳的降本性能比。
商品特性
- 由于极低的品质因数 Rdson*Qg 和 Eoss,损耗极低
- 换向鲁棒性极高
- 易于使用/驱动
- 无铅电镀,无卤模塑料
- 适用于标准等级应用
应用领域
- 功率因数校正(PFC)级、硬开关 PWM 级和谐振开关级,例如用于电脑主机、适配器、液晶和等离子电视以及室内照明。