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BSD235CH6327
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:0.95A
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- 描述
- N+P沟道,20V,950mA
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSD235CH6327
- 商品编号
- C151517
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 950mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 400pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 47pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 24pF |
商品特性
- 互补 P + N 沟道
- 增强型
- 超级逻辑电平(额定 2.5V)
- 雪崩额定
- 符合 AEC Q101 标准
- 100% 无铅;符合 RoHS 标准
- 符合 IEC61249-2-21 标准的无卤要求