温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IRFI1010NPBF
1个N沟道 耐压:55V 电流:49A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- N沟道,55V,49A,12mΩ@10V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRFI1010NPBF
- 商品编号
- C151483
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.64克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 49A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 58W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 130nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 330pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 880pF |
商品概述
第五代HEXFET采用先进的加工技术，以实现单位硅面积极低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可用于各种应用。 TO - 220 Fullpak封装消除了商业 - 工业应用中额外绝缘硬件的需求。所使用的模塑料具有高隔离能力，且散热片与外部散热器之间的热阻较低。这种隔离效果相当于标准TO - 220产品使用100微米云母屏障的效果。Fullpak封装可通过单个夹子或单个螺丝固定在散热器上。
商品特性
- 先进的工艺技术
- 隔离封装
- 高压隔离 = 2.5KVRMS
- 散热片至引脚爬电距离 = 4.8mm
- 全雪崩额定
- 无铅