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IR2127SPBF

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描述: 是一种高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V。保护电路检测被驱动功率晶体管中的过电流并终止栅极驱动电压。提供开漏FAULT信号以指示发生过电流关断。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的交叉导通。浮动通道可用于驱动高端或低端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压高达600V。
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IR2127SPBF
商品编号: C151488
商品封装: SOIC-8
包装方式: 管装
商品毛重: 0.5克(g)

商品参数

商品概述

IR2127/IR2128/IR21271(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器。采用专有 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术，实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，最低可至 3.3V。保护电路可检测被驱动功率晶体管的过流情况，并终止栅极驱动电压。提供漏极开路故障信号，以指示发生过流关断。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的交叉导通。浮动通道可用于驱动高端或低端配置的 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT，工作电压最高可达 600V。

商品特性

浮动通道专为自举操作设计，可在高达 +600V 的电压下完全正常工作，耐受负瞬态电压，抗 dV/dt 干扰
特定应用的栅极驱动范围：电机驱动：12 至 20V（IR2127/IR2128）；汽车应用：9 至 20V（IR21271）
欠压锁定
与 3.3V、5V 和 15V 输入逻辑兼容
故障引脚指示已发生关断
输出与输入同相（IR2127/IR21271）
输出与输入反相（IR2128）
提供无铅封装

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	低边；高边
	负载类型	IGBT；MOSFET
	驱动通道数	1
	灌电流(IOL)	420mA

	属性	参数值
	拉电流(IOH)	200mA
	工作电压	10V~20V
	上升时间(tr)	80ns
	下降时间(tf)	40ns
	工作温度	-40℃~+150℃@(Tj)