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IRFR6215TRPBF
1个P沟道 耐压:150V 电流:13A
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- 描述
- P沟道,-150V,-13A,0.295Ω@-10V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRFR6215TRPBF
- 商品编号
- C150936
- 商品封装
- DPAK(TO-252AA)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.481克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 580mΩ@10V,6.6A | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
第五代HEXFET采用先进的工艺技术，以实现单位硅片面积尽可能低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效的器件，可用于各种应用。 D-PAK封装专为采用气相、红外或波峰焊接技术的表面贴装而设计。直引脚版本（IRFU系列）适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中，功率耗散水平可达1.5 W。
商品特性
~~- 表面贴装(IRFR6215)-直引脚(IRFU6215)-先进的工艺技术-快速开关-全雪崩额定-无铅