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1EDI20N12AFXUMA1
单通道MOSFET和GaN HEMT栅极驱动IC
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- 描述
- 特性：单通道隔离栅极驱动器。 输入到输出隔离电压高达1200 V。 适用于高压功率FET。 轨到轨输出的典型峰值电流为4 A。 独立的源极和漏极输出。 电流隔离
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- 1EDI20N12AFXUMA1
- 商品编号
- C148286
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.275克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 1 | |
| 灌电流(IOL) | 3.5A | |
| 工作电压 | 10V~35V | |
| 上升时间(tr) | 5ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 4ns | |
| 传播延迟 tpLH | 115ns | |
| 传播延迟 tpHL | 120ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP)；短路保护(SCP) | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| 静态电流(Iq) | 650uA |
商品特性
- 单通道隔离栅极驱动器
- 输入到输出隔离电压高达1200 V
- 适用于高压功率FET
- 轨到轨输出时典型峰值电流为4 A
- 独立的源极和漏极输出
- 电流隔离
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