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WST2006
N沟道 耐压:30V 电流:0.17A
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- 描述
- Configuration Dual Type N-Ch VDS(V) 30 VGS(V) 20 ID(A)Max. 0.17 VGS(th)(v) 1.5 RDS(ON)(m?)@4.7V - Qg(nC)@4.5V - QgS(nC) - Qgd(nC) - Ciss(pF) 22 Coss(pF) 11 Crss(pF) 2
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WST2006
- 商品编号
- C148332
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034133克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 170mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品概述
WST2006是一款高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 WST2006符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的Cdv/dt效应抑制
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 笔记本电脑（MB）、上网本（NB）、超便携电脑（UMPC）、显卡（VGA）的高频负载点同步小功率开关
- 网络直流-直流电源系统
- 负载开关