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WST2006实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

WST2006

N沟道 耐压:30V 电流:0.17A

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描述
Configuration Dual Type N-Ch VDS(V) 30 VGS(V) 20 ID(A)Max. 0.17 VGS(th)(v) 1.5 RDS(ON)(m?)@4.7V - Qg(nC)@4.5V - QgS(nC) - Qgd(nC) - Ciss(pF) 22 Coss(pF) 11 Crss(pF) 2
品牌名称
WINSOK(微硕)
商品型号
WST2006
商品编号
C148332
商品封装
SOT-363​
包装方式
编带
商品毛重
0.034133克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)170mA
导通电阻(RDS(on))5.5Ω@10V
耗散功率(Pd)200mW
阈值电压(Vgs(th))2V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)50pF
反向传输电容(Crss)5pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)25pF

数据手册PDF