温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
WST6225
1个P沟道 耐压:20V 电流:5.1A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- WST6225是一款具有极高单元密度的高性能沟槽P沟道MOSFET，能为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷。WST6225符合RoHS标准和绿色产品要求，且通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WST6225
- 商品编号
- C148356
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.037克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@1.8V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 938pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 134pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 151pF |
商品概述
WST6225是一款高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷特性。 WST6225符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制能力
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 用于移动电脑（MB）、笔记本电脑（NB）、超便携个人电脑（UMPC）和显卡（VGA）的高频负载点同步降压转换器
- 网络直流-直流电源系统
- 负载开关