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WSD30L40DN33
1个P沟道 耐压:30V 电流:40A
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- 描述
- WsD30L40DN33是高性能沟槽式P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷。WsD30L40DN33符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过全功能可靠性认证，保证每颗产品均合格。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSD30L40DN33
- 商品编号
- C148390
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.133克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@4.5V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 32.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.38nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 217pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 280pF |
商品概述
WSD30L40DN33是高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷。 WSD30L40DN33符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证耐雪崩能力，且通过全功能可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 100%保证耐雪崩能力
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 用于笔记本电脑、上网本、超便携PC、显卡的高频负载点同步降压转换器
- 网络直流 - 直流电源系统
- 负载开关