温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
WSD30L40DN33
1个P沟道 耐压:30V 电流:40A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- WsD30L40DN33是高性能沟槽式P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷。WsD30L40DN33符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过全功能可靠性认证，保证每颗产品均合格。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSD30L40DN33
- 商品编号
- C148390
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.133克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@4.5V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 32.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.38nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 217pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 280pF |
优惠活动
购买数量
(5000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个5000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交100+单