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WSP4409
1个P沟道 耐压:30V 电流:17.6A
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- 描述
- WSP4409是一款具有极高单元密度的高性能沟槽P沟道MOSFET，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSP4409符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，具备完整的可靠性认证。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSP4409
- 商品编号
- C148421
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.209克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 4.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.956nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 385pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 500pF |
商品概述
WSP4409是一款高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 WSP4409符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量（EAS）测试，具备完整的功能可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制能力
- 100%雪崩能量（EAS）保证
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统的电源管理。人体模型（HBM）静电放电（ESD）保护等级通过8KV测试。