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WSF45P10
1个P沟道 耐压:100V 电流:40A
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- 描述
- WSF45P10是高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（Rpson）和栅极电荷。WSF45P10符合RoHS标准和绿色产品要求，且通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSF45P10
- 商品编号
- C148443
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.475克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 58.5mΩ@4.5V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 125nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.72nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 450pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 790pF |
商品概述
WSF45P10是一款高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 WSF45P10符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的Cdv/dt效应抑制
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 逆变器