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WSR80N08实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

WSR80N08

1个N沟道 耐压:80V 电流:80A

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描述
WSR80N08是一款高性能沟槽N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(Rpson)和栅极电荷。WSR80N08符合RoHS标准和绿色产品要求,100%经过雪崩能量(EAS)测试,具备完整的可靠性认证。
品牌名称
WINSOK(微硕)
商品型号
WSR80N08
商品编号
C148457
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
3克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)80A
导通电阻(RDS(on))9.5mΩ@10V,40A
耗散功率(Pd)230W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)180nC@10V
输入电容(Ciss)-
反向传输电容(Crss)590pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)1.67nF

商品概述

WSR80N08是一款高性能沟槽N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。 WSR80N08符合RoHS标准和绿色产品要求,100%经过雪崩能量耐量(EAS)测试,具备完整的功能可靠性认证。

商品特性

  • 先进的高单元密度沟槽技术
  • 超低栅极电荷
  • 出色的CdV/dt效应抑制
  • 100%雪崩能量耐量(EAS)保证
  • 提供绿色环保器件

应用领域

  • 电源管理
  • DC/DC转换器
  • 负载开关

数据手册PDF