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WSR200N08
1个N沟道 耐压:80V 电流:200A
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- 描述
- WSR200N08是一款高性能沟槽式N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSR200N08符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，具备完整的功能可靠性认证。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSR200N08
- 商品编号
- C148459
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 345W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 197nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.154nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 650pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.029nF |
商品概述
WSR200N08是一款高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSR200N08符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量（EAS）测试，具备全面的可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 100%雪崩能量（EAS）保证
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 开关应用-逆变器系统电源管理