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WSR98P06
P沟道 耐压:60V 电流:132A
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- 描述
- Configuration Single Type P-Ch VDS(V) -60 VGS(V) 25 ID(A)Max. -132 VGS(th)(v) -1.8 RDS(ON)(m?)@4.516V 8.5 Qg(nC)@4.5V 136 QgS(nC) 20 Qgd(nC) 33 Ciss(pF) 6095 Coss(pF) 1080 Crss(pF) 430
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSR98P06
- 商品编号
- C148452
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 132A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 136nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.095nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 430pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.08nF |
商品概述
WSR98P06是一款高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 WSR98P06符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩耐量（EAS）测试，具备完整的可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制能力
- 100%雪崩耐量(EAS)保证
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 台式电脑电源管理或DC/DC转换器