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WSF3038
1个N沟道 耐压:30V 电流:38A
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- 描述
- WSF3038是具有极高单元密度的高性能沟槽型N沟道MOSFET，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（Rpson）和栅极电荷。WSF3038符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过耐雪崩能量（EAS）测试，且具备全面的功能可靠性认证。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSF3038
- 商品编号
- C148426
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.475克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 38A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@4.5V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 550pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 68pF |
商品概述
WsF3038是高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷特性。 WsF3038符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，具备全面的功能可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 100%雪崩能量耐量（EAS）保证
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 用于移动主板（MB）/笔记本电脑（NB）/超便携电脑（UMPC）/显卡（VGA）的高频负载点同步降压转换器
- 网络直流 - 直流电源系统
- 负载开关