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WSF60N06实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

WSF60N06

1个N沟道 耐压:60V 电流:60A

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描述
WSF60N06是一款具有极高单元密度的高性能沟槽N沟道MOSFET,能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。WSF60N06符合RoHS标准和绿色产品要求,100%通过了抗雪崩能力(EAS)测试,并经过了全面的可靠性验证。
品牌名称
WINSOK(微硕)
商品型号
WSF60N06
商品编号
C148432
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.475克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)60A
导通电阻(RDS(on))15mΩ@4.5V,10A
耗散功率(Pd)20W
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)9nC@4.5V
输入电容(Ciss)2.578nF
反向传输电容(Crss)136pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)203pF

数据手册PDF