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WSF09N20
1个N沟道 耐压:200V 电流:9A
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- 描述
- WSF09N20是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷特性。WSF09N20符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量（EAS）测试，且通过了全面的可靠性验证。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSF09N20
- 商品编号
- C148438
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.475克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 290mΩ@6V,3.6A | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 509pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 51.2pF |
商品概述
WSF09N20是一款高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 WSF09N20符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过EAS测试，具备完整的可靠性认证。
商品特性
~~- 先进的高单元密度沟槽技术-超低栅极电荷-出色的Cdv/dt效应抑制-提供绿色环保器件
应用领域
- 高频负载点同步降压转换器-网络DC-DC电源系统-负载开关