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WSD20L75DN33实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

WSD20L75DN33

1个P沟道 耐压:20V 电流:75A

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描述
WSD20L75DN33采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于各种应用场景。
品牌名称
WINSOK(微硕)
商品型号
WSD20L75DN33
商品编号
C148391
商品封装
DFN-8(3.3x3.3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.133克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)75A
导通电阻(RDS(on))6mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)83W
阈值电压(Vgs(th))1V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)75nC@4.5V
输入电容(Ciss)3.5nF
反向传输电容(Crss)445pF
工作温度-55℃~+150℃
类型-
输出电容(Coss)577pF

数据手册PDF

优惠活动

  • 9

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