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WSD30L60DN56

P沟道 耐压:30V 电流:45A

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描述
Configuration Single Type P-Ch VDS(V) -30 VGS(V) 25 ID(A)Max. -45 VGS(th)(v) -2 RDS(ON)(m?)@4.233V 15 Qg(nC)@4.5V - QgS(nC) 4.3 Qgd(nC) 10 Ciss(pF) 1550 Coss(pF) 315 Crss(pF) 245
品牌名称
WINSOK(微硕)
商品型号
WSD30L60DN56
商品编号
C148397
商品封装
PDFN-8(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)45A
导通电阻(RDS(on))21mΩ@4.5V,5A
耗散功率(Pd)31W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)31nC@10V
输入电容(Ciss)1.55nF
反向传输电容(Crss)245pF
工作温度-
类型P沟道
输出电容(Coss)315pF

商品特性

  • -30V/-45A
  • 当VGS = -10V时,RDS(ON) = 12mΩ(最大值)
  • 当VGS = -6V时,RDS(ON) = 17mΩ(最大值)
  • 当VGS = -4.5V时,RDS(ON) = 21mΩ(最大值)
  • 可靠耐用
  • 提供无铅环保器件(符合RoHS标准)

应用领域

  • 笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统的电源管理。

数据手册PDF