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WSP6064实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

WSP6064

1个N沟道 耐压:60V 电流:6.8A

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描述
WSP6064是高性能沟槽型N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDS(ON))和栅极电荷。WSP6064符合RoHS标准和绿色产品要求,100%保证具有抗雪崩能力(EAS),并通过了全功能可靠性认证。
品牌名称
WINSOK(微硕)
商品型号
WSP6064
商品编号
C148407
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.209克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)6.8A
导通电阻(RDS(on))50mΩ@4.5V,4A
耗散功率(Pd)2.5W
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)20nC@10V
输入电容(Ciss)940pF
反向传输电容(Crss)64pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)91pF

数据手册PDF

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