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WSP4953A实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

WSP4953A

2个P沟道 耐压:20V 电流:5.8A

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描述
WSP4953A 是具有极高单元密度的高性能沟槽 P 沟道 MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。WSP4953A 符合 RoHS 标准和绿色产品要求,并通过了全功能可靠性认证。
品牌名称
WINSOK(微硕)
商品型号
WSP4953A
商品编号
C148415
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.209克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)5.8A
导通电阻(RDS(on))55mΩ@10V,5.8A
耗散功率(Pd)2W
阈值电压(Vgs(th))2V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)16nC@4.5V
输入电容(Ciss)625pF
反向传输电容(Crss)60pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)100pF

数据手册PDF

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(3000个/圆盘,最小起订量 5 个)
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