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WSP4406实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

WSP4406

1个N沟道 耐压:30V 电流:12A

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描述
WSP4406是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。WSP4406符合RoHS标准和绿色产品要求,100%通过全功能可靠性认证,确保产品质量。
品牌名称
WINSOK(微硕)
商品型号
WSP4406
商品编号
C148400
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.209克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)12A
导通电阻(RDS(on))18mΩ@4.5V,10A
耗散功率(Pd)3.1W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)6.3nC@4.5V
输入电容(Ciss)770pF
反向传输电容(Crss)76pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)130pF

数据手册PDF

优惠活动

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