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WSD30100DN56
1个N沟道 耐压:30V 电流:100A
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- 描述
- WSD30100DN56是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD30100DN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过全功能可靠性测试，确保产品质量。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSD30100DN56
- 商品编号
- C148393
- 商品封装
- DFN5X6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.2mΩ@4.5V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 46.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 900pF |
优惠活动
购买数量
(5000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个5000个/圆盘
总价金额：
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