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WSD3042DN56
1个N沟道 耐压:30V 电流:40A
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- 描述
- 特性：30V/40A。RDS(ON) = 10.8mΩ(最大值)@VGS = 10V。RDS(ON) = 12mΩ(最大值)@VGS = 4.5V。RDS(ON) = 16mΩ(最大值)@VGS = 2.5V。100% UIS + Rg 测试。可靠耐用。应用：笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统的电源管理。笔记本适配器应用
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSD3042DN56
- 商品编号
- C148392
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@2.5V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 32W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品特性
- 30V/40A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON)最大为10.8mΩ
- 当VGS = 4.5V时，RDS(ON)最大为12mΩ
- 当VGS = 2.5V时，RDS(ON)最大为16mΩ
- 100%进行UIS+Rg测试
- 可靠耐用
- 提供无铅环保器件（符合RoHS标准）
应用领域
- 笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统的电源管理。
- 笔记本适配器应用。