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WSD2012DN25
2个N沟道 耐压:20V 电流:11A
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- 描述
- Configuration Dual+ESD Type N-Ch VDS(V) 20 VGS(V) 12 ID(A)Max. 11 VGS(th)(v) 0.65 RDS(ON)(m?)@4.145V 7 Qg(nC)@4.5V 12.5 QgS(nC) 5.5 Qgd(nC) 6.5 Ciss(pF) 1256 Coss(pF) 220 Crss(pF) 168
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSD2012DN25
- 商品编号
- C148381
- 商品封装
- DFN-6(4.5x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.073克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ@4.5V,5.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.511nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 238pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 295pF |
优惠活动
购买数量
(2000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个2000个/圆盘
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