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WST2011
2个P沟道 耐压:20V 电流:3.2A
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- 描述
- WST2011是具有极高单元密度的高性能沟槽P沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WST2011符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全面的可靠性测试。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WST2011
- 商品编号
- C148368
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.041克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 115mΩ@2.5V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 750pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 68pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 95pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个3000个/圆盘
总价金额：
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