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WSD2098N23
2个N沟道 耐压:20V 电流:9.7A
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- 描述
- 双N沟道.20V.9.7A.7mΩ
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSD2098N23
- 商品编号
- C148379
- 商品封装
- DFN-6-EP(2x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.039克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13.5mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.47nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 202pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 258pF |
商品概述
WSD2098DN23是高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD2098DN23符合RoHS和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
-先进的高单元密度沟槽技术-超低栅极电荷-出色的Cdv/dt效应抑制-提供绿色环保器件
应用领域
- 笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统的电源管理
- DC - DC电源系统
- 静电放电(ESD)防护能力:2KV