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WST2N7002K
1个N沟道 耐压:60V 电流:300mA
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- 描述
- Configuration Single Type N-Ch VDS(V) 60 VGS(V) 20 ID(A)Max. 0.3 VGS(th)(v) - RDS(ON)(m?)@4.31V 4 Qg(nC)@4.5V - QgS(nC) - Qgd(nC) - Ciss(pF) 32 Coss(pF) 7 Crss(pF) 3
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WST2N7002K
- 商品编号
- C148339
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.037克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 32pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 17pF |
商品概述
WST2N7002K是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WST2N7002K符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全面的可靠性测试。
商品特性
- 高速开关
- 提供绿色环保器件
- ESD保护:2KV
应用领域
- 用于移动电脑(MB)、笔记本电脑(NB)、超便携个人电脑(UMPC)的高频负载点同步降压转换器
- 网络直流-直流电源系统
- 负载开关