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IRFIZ34GPBF

1个N沟道耐压:60V 电流:20A

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品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: IRFIZ34GPBF
商品编号: C145229
商品封装: TO-220
包装方式: 管装
商品毛重: 2.64克(g)

商品参数

商品概述

第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 TO - 220 FULLPAK封装消除了商业 - 工业应用中对额外绝缘硬件的需求。所使用的模塑料提供了高隔离能力，以及引脚与外部散热器之间的低热阻。这种隔离效果相当于在标准TO - 220产品中使用100微米的云母屏障。FULLPAK封装可使用单个夹子或单个螺丝固定在散热器上。

商品特性

隔离封装
高电压隔离 = 2.5 kVRMS（t = 60 s；f = 60 Hz）
散热片到引脚的爬电距离 = 4.8 mm
工作温度175 °C
动态dV/dt额定值
低热阻
提供无铅（Pb）版本

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	60V
	连续漏极电流(Id)	20A
	导通电阻(RDS(on))	50mΩ@10V,12A
	耗散功率(Pd)	42W
	阈值电压(Vgs(th))	4V@250uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	46nC@10V
	输入电容(Ciss)	-
	反向传输电容(Crss)	-
	工作温度	-55℃~+175℃
	配置	-
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	-