我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单工业品PCB/SMT面板定制
PESDNC2FD12VU实物图
  • PESDNC2FD12VU商品缩略图
  • PESDNC2FD12VU商品缩略图
  • PESDNC2FD12VU商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PESDNC2FD12VU

单向 12V截止

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
PESDNC2FD12VU静电放电(ESD)保护器专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理(PDA)等便携式应用中替代多层压敏电阻(MLV)而设计。它们的特点是具有大截面积结,可传导高瞬态电流,为电路板级保护提供了理想的电气特性,如响应时间快、工作电压低、钳位电压低,并且与多层压敏电阻相比,不会出现器件性能衰退的问题。PESDNC2FD12VU可保护敏感半导体元件,使其免受静电放电(ESD)和其他电压引起的瞬态事件导致的损坏或故障
品牌名称
Prisemi(芯导)
商品型号
PESDNC2FD12VU
商品编号
C918803
商品封装
DFN1006-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.011克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静电和浪涌保护(TVS/ESD)
极性单向
反向截止电压(Vrwm)12V
钳位电压18.4V
峰值脉冲功率(Ppp)80W@8/20us
属性参数值
击穿电压13.5V
反向电流(Ir)1uA
通道数单路
防护等级IEC 61000-4-4;IEC 61000-4-2
Cj-结电容15pF

商品概述

PESDNC2FD12VU ESD 保护器专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理(PDA)等便携式应用中替代多层压敏电阻(MLV)而设计。它们的特点是具有大截面积结,可传导高瞬态电流,为电路板级保护提供了理想的电气特性,如响应时间快、工作电压低、钳位电压低,并且与 MLV 相比,不会出现器件性能退化的问题。PESDNC2FD12VU 可保护敏感半导体元件免受静电放电(ESD)和其他电压感应瞬态事件造成的损坏或故障。PESDNC2FD12VU 采用 DFN1006 - 2L 封装,工作电压为 12 伏。它为设计师提供了灵活性,可在不适合使用阵列的应用中保护一条单向线路。此外,在电路板空间有限的应用中,它可以“分散”布置在电路板周围。

商品特性

  • 每线 80W 峰值脉冲功率(tp = 8/20μs),DFN1006 - 2L 封装
  • 替代 MLV(0402),单向配置
  • 典型响应时间 <1 ns
  • 保护一条 I/O 或电源线,低钳位电压
  • 符合 RoHS 标准
  • 数据线瞬态保护符合 IEC 61000 - 4 - 2(ESD)±30KV(空气)、±30KV(接触);IEC 61000 - 4 - 4(EFT)40A(5/50ns)

应用领域

  • 手机及配件
  • 个人数字助理(PDA)
  • 笔记本电脑、台式电脑和服务器
  • 便携式仪器
  • 无绳电话
  • 数码相机
  • 外设
  • MP3 播放器

数据手册PDF