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PESDNC2FD12VU
单向 12V截止
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- 描述
- PESDNC2FD12VU静电放电（ESD）保护器专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用中替代多层压敏电阻（MLV）而设计。它们的特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供了理想的电气特性，如响应时间快、工作电压低、钳位电压低，并且与多层压敏电阻相比，不会出现器件性能衰退的问题。PESDNC2FD12VU可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件导致的损坏或故障
- 品牌名称
- Prisemi(芯导)
- 商品型号
- PESDNC2FD12VU
- 商品编号
- C918803
- 商品封装
- DFN1006-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.011克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 单向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 12V | |
| 钳位电压 | 18.4V | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 80W@8/20us |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 击穿电压 | 13.5V | |
| 反向电流(Ir) | 1uA | |
| 通道数 | 单路 | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-2 | |
| Cj-结电容 | 15pF |
商品概述
PESDNC2FD12VU静电放电（ESD）保护器旨在替代手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用中的多层压敏电阻（MLV）。它们的特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供了理想的电气特性，如响应时间快、工作电压低、钳位电压低，与MLV相比无器件性能退化问题。PESDNC2FD12VU可保护敏感半导体元件免受静电放电（ESD）和其他电压感应瞬态事件的损坏或干扰。PESDNC2FD12VU采用DFN1006 - 2L封装，工作电压为12伏。它为设计师提供了灵活性，可在不适合使用阵列的应用中保护一条单向线路。此外，在电路板空间有限的应用中，它可以“分散”布置在电路板周围。
商品特性
- 每线80W峰值脉冲功率（tP = 8/20μs）
- DFN1006 - 2L封装
- 可替代MLV(0402)
- 单向配置
- 典型响应时间 < 1 ns
- 保护一条I/O或电源线
- 低钳位电压
- 符合RoHS标准
- 数据线路瞬态保护符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）±30KV（空气）、±30KV（接触）；IEC 61000 - 4 - 4（EFT）40A（5/50ns）
应用领域
-手机及配件-个人数字助理(PDA)-笔记本电脑、台式电脑和服务器-便携式仪器-无绳电话-数码相机-外设-MP3播放器