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PESDNC2FD8VB
双向 8V截止
- 描述
- PESDNC2FD8VB可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）及其他电压诱发的瞬态事件造成的损坏或故障。它们具有大截面积结，可传导高瞬态电流，具备适用于电路板级保护的理想电气特性，如快速响应时间、低工作电压。在不适合使用阵列的应用中，它使设计人员能够灵活地保护一条双向线路。
- 品牌名称
- Prisemi(芯导)
- 商品型号
- PESDNC2FD8VB
- 商品编号
- C918817
- 商品封装
- DFN1006-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.01克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 双向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 8V | |
| 钳位电压 | 16V | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 30W@8/20us |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 击穿电压 | 13V | |
| 反向电流(Ir) | 1uA | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 13pF |
商品概述
PESDNC2FD8VB可保护敏感半导体组件，避免其因静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件而损坏或出现故障。它们具有大截面积结，可传导高瞬态电流，具备适用于电路板级保护的理想电气特性，如快速响应时间、低工作电压。在不适合使用阵列的应用中，它使设计人员能够灵活地保护一条双向线路。
商品特性
- 每线30W峰值脉冲功率（t_P = 8/20μs）
- DFN1006-2L封装
- 可替代MLV(0402)
- 双向配置
- 典型响应时间 < 1 ns
- 低钳位电压
- 符合RoHS标准
- 数据线瞬态保护，符合IEC61000-4-2（ESD）±15KV（空气）、±10KV（接触）；IEC61000-4-4（EFT）40A（5/50ns）
应用领域
-手机-便携式设备-数码相机-电源