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PPM723T201E0
P沟道MOSFET
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- 描述
- MOSFET在快速开关、低导通电阻和成本效益方面实现了最佳组合。
- 品牌名称
- Prisemi(芯导)
- 商品型号
- PPM723T201E0
- 商品编号
- C918822
- 商品封装
- SOT-723
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.01克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 800mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 450mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 110pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 9pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用SL半导体公司先进的平面条纹DMOS技术制造。 该先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适合用于低压应用，如DC/DC转换器，以及便携式和电池供电产品电源管理的高效开关。
商品特性
- 4.0A、650V，在VGS = 10V时，RDS(导通) = 3.0Ω
- 低栅极电荷（典型值15nC）
- 高耐用性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- DC/DC转换器
- 便携式和电池供电产品电源管理的高效开关