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PPMT30V3
P沟道MOSFET
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- 描述
- 增强型MOS具有极高的单元密度和低导通电阻。
- 品牌名称
- Prisemi(芯导)
- 商品型号
- PPMT30V3
- 商品编号
- C918824
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.041克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 58mΩ@10V；75mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.04W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 460pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 74pF |
商品概述
增强型MOS管具有极高的单元密度和低导通电阻。