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PPMT20V4E
P沟道MOSFET
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- 描述
- 增强型MOS具有极高的单元密度和低导通电阻。
- 品牌名称
- Prisemi(芯导)
- 商品型号
- PPMT20V4E
- 商品编号
- C918823
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.041克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 37mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 650mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.25nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 155pF | |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
商品概述
ME20N03是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如手机和笔记本电脑的电源管理，以及其他需要高端开关和低线路功耗的电池供电电路，采用非常小尺寸的表面贴装封装。
商品特性
- RDS(ON) ≤15mΩ@VGS=10V
- RDS(ON) ≤20mΩ @VGS=4.5V
- 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
应用领域
- 台式计算机的电源管理-视频图形加速卡-电池供电系统-DC/DC转换器
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