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PNM3FD201E0
N沟道MOSFET
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- 描述
- MOSFET提供了快速开关、低导通电阻和成本效益的最佳组合。
- 品牌名称
- Prisemi(芯导)
- 商品型号
- PNM3FD201E0
- 商品编号
- C918819
- 商品封装
- DFN1006-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.009克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 400mΩ@4.0V | |
| 耗散功率(Pd) | 140mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 30pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 输出电容(Coss) | 13pF |
商品概述
增强型MOS管具有极高的单元密度和低导通电阻。
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