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PDNM6ET20V05
双N沟道数字式场效应晶体管
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- 描述
- MOSFET 提供了快速开关、低导通电阻和成本效益的最佳组合。
- 品牌名称
- Prisemi(芯导)
- 商品型号
- PDNM6ET20V05
- 商品编号
- C918811
- 商品封装
- SOT-563
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 290mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 650mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.64nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 28pF |
商品概述
4606采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于构成电平转换高端开关，还适用于许多其他应用。
商品特性
- N沟道
- VDS = 30V，ID = 6.9A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 21mΩ
- 当VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 32mΩ
- P沟道
- VDS = -30V，ID = -6.0A
- 当VGS = -10V时，RDS(ON) < 45mΩ
- 当VGS = -4.5V时，RDS(ON) < 60mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 产品无铅
- 表面贴装封装