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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PESDHC2FD4V8UF

单向4.8V高电容ESD保护器

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描述
ESD保护器旨在取代便携式应用(如手机、笔记本电脑和PDA)中的多层压敏电阻(MLV)。它们具有大横截面积结,用于传导高瞬态电流,为电路板级保护提供理想的电气特性,如快速响应时间、较低的工作电压、较低的钳位电压,并且与MLV相比,无器件性能下降问题。该保护器可保护敏感半导体组件免受静电放电(ESD)和其他电压感应瞬态事件的损坏或故障。该产品采用DFN1006-2L封装,工作电压为4.8V,使设计人员能够在不适合使用阵列的应用中灵活保护单向线路。此外,它还可在电路板空间有限的应用中灵活布置。
品牌名称
Prisemi(芯导)
商品型号
PESDHC2FD4V8UF
商品编号
C918814
商品封装
DFN1006-2​
包装方式
编带
商品毛重
0.009克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静电和浪涌保护(TVS/ESD)
反向截止电压(Vrwm)4.8V
钳位电压11V
峰值脉冲电流(Ipp)60A@8/20us
峰值脉冲功率(Ppp)500W@8/20us
属性参数值
反向电流(Ir)100nA
防护等级IEC 61000-4-2
类型ESD
Cj-结电容160pF

商品概述

PESDHC2FD4V8UF 静电放电(ESD)保护器专为在便携式设备应用(如手机、笔记本电脑和个人数字助理 (PDA))中替代多层压敏电阻 (MLV) 而设计。其特点是具有大截面积结,可传导高瞬态电流,为电路板级保护提供理想的电气特性,如响应时间快、工作电压低、钳位电压低,且与 MLV 相比无器件老化问题。PESDHC2FD4V8UF 可保护敏感半导体组件免受静电放电 (ESD) 和其他电压感应瞬态事件造成的损坏或故障。PESDHC2FD4V8UF 采用 DFN1006 - 2L 封装,工作电压为 4.8 伏。它为设计人员提供了灵活性,可在不适合使用阵列的应用中保护一条单向线路。此外,在电路板空间有限的应用中,它可以“分散”布置在电路板周围。

商品特性

  • 每线路 500 W 峰值脉冲功率 (tP = 8 / 20 μs)
  • DFN1006 - 2L 封装
  • 替代 MLV(0402)
  • 单向配置
  • 典型响应时间 < 1 ns
  • 保护一条 I/O 或电源线
  • 低钳位电压
  • 符合 RoHS 标准
  • 数据线瞬态保护,符合 IEC 61000 - 4 - 2 (ESD) ±30 kV(空气放电)、±30 kV(接触放电);IEC 61000 - 4 - 4 (EFT) 40 A (5 / 50 ns)

应用领域

-手机及配件-个人数字助理 (PDA)-笔记本电脑、台式电脑和服务器-便携式仪器-无绳电话-数码相机-外设-MP3 播放器

数据手册PDF