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PNMT6N1
PNMT6N1
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- 品牌名称
- Prisemi(芯导)
- 商品型号
- PNMT6N1
- 商品编号
- C918806
- 商品封装
- UDFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - |
商品概述
SSS2N60是一款高压MOSFET，旨在具备更优异的特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻以及高抗雪崩特性。这款功率MOSFET通常用于电源、PWM电机控制、高效DC - DC转换器和桥接电路等高速开关应用中。
商品特性
- RDS(ON) = 3.8Ω @ VGS = 10V
- 超低栅极电荷（典型值9.0nC）
- 低反向传输电容（Crss = 典型值5.0pF）
- 快速开关能力
- 规定雪崩能量
- 改善dv/dt能力，高抗扰性
应用领域
- 电源
- PWM电机控制
- 高效DC - DC转换器
- 桥接电路