FDS6692A
1个N沟道 耐压:30V 电流:9A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS6692A
- 商品编号
- C903630
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.61nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用安森美半导体先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经过特别设计，可在保持卓越开关性能的同时，最大限度地降低导通电阻。 这些器件非常适合需要低线路损耗和快速开关的低电压和电池供电应用。
商品特性
- 7 A、60 V。VGS = 10 V时，RDS(on) = 0.028 Ω
- VGS = 6 V时，RDS(on) = 0.033 Ω
- 低栅极电荷（典型值23 nC）
- 快速开关速度
- 高性能沟槽技术，实现极低的RDS(ON)
- 高功率和电流处理能力
应用领域
- DC/DC转换器
- 电机驱动器