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FOD8332V

描述: FOD8332 是一款 2.5 A 输出电流 IGBT 驱动光耦合器，能够驱动额定值最高为 1,200 V 和 150 A 的中等功率 IGBT。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。FOD8332 提供了防止导致 IGBT 破坏性散热的故障情况所需的重要保护特性。该器件利用安森美半导体的专属共面 Optoplanar 封装技术和优化的集成电路设计，可实现可靠的高隔离电压和高抗扰性，具有高共模抑制和电源抑制规定特性。该器件采用宽体 16 引脚小型塑料封装。该门极驱动沟道包含一个与高速驱动集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该集成电路带有低 RDS(ON) MOSFET 输出级。故障感应沟道包括一个与集成的高速反馈电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，用于进行故障感应。
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: FOD8332V
商品编号: C899343
商品封装: SOP-16-300mil
包装方式: 管装
商品毛重: 1克(g)

商品概述

FOD8332 是一款先进的2.5A输出电流IGBT驱动光耦合器，能够驱动额定电压高达1,200V和电流高达150A的中功率IGBT。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中的快速开关驱动功率IGBT和MOSFET。FOD8332提供了必要的保护功能，以防止导致IGBT发生破坏性热失控的故障条件。

该器件利用了Fairchild专有的Optoplanar共面封装技术和优化的IC设计，实现了可靠的高隔离度和高抗噪性能，其特点是具有高的共模抑制比和电源抑制规格。该器件采用宽体、16引脚、小外形塑料封装。

门极驱动通道由铝镓砷(AlGaAs)发光二极管(LED)光学耦合到一个集成的高速驱动电路，该电路具有低导通电阻(RDS(ON))的MOSFET输出级。故障检测通道则由AlGaAs LED光学耦合到一个集成的高速反馈电路，用于故障检测。

商品特性

输入LED驱动便于接收来自PWM输出的数字编码信号
光电隔离故障感应反馈
主动米勒钳位在高dv/dt情况下无需负电源电压即可关闭IGBT
高抗噪性能，共模抑制比最小35 kV/µs，V_CM=1500 V_PEA_F
2.5 A峰值输出电流驱动能力适用于中等功率IGBT – 输出级采用P沟道MOSFET使输出电压摆幅接近供电轨（轨到轨输出）– 宽供电电压范围：15 V至30 V集成IGBT保护 – 失饱和检测 – “软”IGBT关断 – 带有迟滞的欠压锁定(UVLO)
在全工作温度范围内快速切换速度 – 最大传播延迟250 ns – 最大脉冲宽度失真100 ns
扩展工业温度范围：-40℃至100℃
安全和法规认证 – UL1577，4243 V_RMS持续1分钟 – DIN-EN/IEC60747-5-5: 1,414 V_PEAK工作绝缘电压等级8,000 V_PEAK瞬态隔离电压等级
8毫米爬电距离和电气间隙

应用领域

交流和无刷直流电机驱动
工业变频器
不间断电源
感应加热
隔离IGBT/功率MOSFET栅极驱动

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交货周期

订货89-91个工作日

购买数量

(1000个/管，最小起订量 1000 个)

个

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￥ 0.00

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	属性	参数值
	商品目录	LED驱动
	开关频率	-
	通道数	1

	属性	参数值
	输出电流	2.5A
	拓扑结构	-
	工作温度	-40℃~+100℃