FCPF4300N80Z
1个N沟道 耐压:800V 电流:1.6A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCPF4300N80Z
- 商品编号
- C899139
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 19.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 355pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
UniFET™ MOSFET 是飞兆半导体公司基于平面条纹和双极型金属氧化物半导体技术的高电压 MOSFET 系列产品。该 MOSFET 旨在降低导通电阻，并提供更出色的开关性能和更高的雪崩能量强度。该器件系列适用于诸如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX 和电子灯镇流器等开关电源转换应用。
商品特性
- RDS(on) = 3.4 Ω(典型值)
- 超低栅极电荷(典型值Qg = 6.8 nC)
- 低E\text oss(典型值0.8 \mu J @ 400 V)
- 低有效输出电容(典型值Coss(eff.) = 36 pF)
- 100%经过雪崩测试
- 符合RoHS标准
- 改进的ESD能力
应用领域
-交流-直流电源-LED照明