NTNS2K1P021ZTCG
1个P沟道 耐压:20V 电流:127mA
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTNS2K1P021ZTCG
- 商品编号
- C896493
- 商品封装
- XDFN-3(0.5x0.7)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 127mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 125mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 输入电容(Ciss) | 12.8nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。
商品特性
- 超薄小封装,XDFN3(0.62 x 0.42 x 0.4 mm),适用于空间极其受限的应用
- 1.5 V栅极驱动
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,符合RoHS标准
应用领域
- 小信号负载开关
- 高速接口
- 电平转换