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商品参数
参数完善中
商品概述
这款N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。
商品特性
- 3.4 A,400 V,RDS(on) = 1.6 Ω(最大值)@ VGS = 10 V,ID = 1.7 A
- 低栅极电荷(典型值10 nC)
- 低Crss(典型值7 pF)
- 100%雪崩测试
应用领域
-开关模式电源-有源功率因数校正(PFC)-电子灯镇流器